Numéro de produit du fabricant:
IPB097N08N3 G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB097N08N3 G-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
12800260
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPB097N08N3 G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.7mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2410 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB097N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB097N08N3 GDKR-DG
IPB097N08N3 GCT
IPB097N08N3 G-DG
IPB097N08N3 GTR-DG
IPB097N08N3 GCT-DG
IPB097N08N3GCT
IPB097N08N3G
IPB097N08N3GTR
IPB097N08N3 GDKR
IPB097N08N3GDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN012-80BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
5050
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN012-80BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.67
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB088N08
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
330
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB088N08-DG
PRIX UNITAIRE
1.12
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75545S3ST
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
6270
NUMÉRO DE PIÈCE
HUF75545S3ST-DG
PRIX UNITAIRE
1.50
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN8R7-80BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
5398
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN8R7-80BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.70
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK9616-75B,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
6355
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK9616-75B,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.65
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP057N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
IPD60R145CFD7ATMA1
MOSFET N CH
IPD60R450E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
